Un equipo de la Universidad de Berkeley y el Centro de Física de Materiales (CSIC-UPV/EHU) ha conseguido crear con precisión atómica nanoestructuras que combinan tiras de grafeno de diferentes anchuras. La formación de heteroestructuras con distintos materiales ha sido un concepto utilizado extensamente en ingeniería electrónica y ha permitido grandes avances en la electrónica convencional.
“Ahora hemos logrado formar por primera vez heteroestructuras a nivel molecular y con precisión atómica de nanotiras de grafeno modulando su anchura. Además, su posterior caracterización mediante microscopia y espectroscopia de efecto túnel, complementada con cálculos teóricos de primeros principios, ha demostrado que da lugar a un sistema con propiedades electrónicas muy interesantes, que incluyen, por ejemplo, la creación de lo que se conoce como pozos cuánticos”, destaca el científico Dimas de Oteyza, que ha participado en este proyecto. Este trabajo, cuyos resultados se han publicado recientemente en la prestigiosa revista Nature Nanotechnology, es, por tanto, un importante éxito hacia la esperada implementación del grafeno en aplicaciones electrónicas comerciales. El doctor Dimas G. de Oteyza, que antes estuvo en Berkeley y en el CFM, actualmente trabaja en el Donostia International Physics Center (DIPC) como ‘Fellow Gipuzkoa’.